Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті

Вчені з Фуданьського Університету встановили новий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши флеш-пам’ять PoX, яка може зберігати дані зі швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей енергонезалежний пристрій є значно швидшим за сучасні енергозалежні технології, такі як SRAM і DRAM. Вчені використовували алгоритми штучного інтелекту для оптимізації тестування та прискорення розвитку технології. Команда зараз працює над перетворенням пристрою на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.